深圳市奥诗达电子有限公司

PolarP2 HiPerFET 功率 MOSFET
N 沟道增强模式 雪崩额定快速本征二极管

IXFK94N50P2特征
国际标准封装
动态 dv/dt Ratingz
雪崩额定值
快速本征二极管
低 QGz
低 RDS(on)z
低漏极到标签电容
低封装电感

优势
易于安装
节省空间

IXFK94N50P2应用
DC-DC 转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式电源
不间断电源
交流电机驱动器
高速电源开关应用



参数图

符号 测试条件 Maximum Ratings
VDSS TJ= 25°C 至 150°C 500V
VDGR TJ= 25°C 至 150°C，RGS = 1MΩ 500V
VGSS 连续瞬态 ± 30V
                                                      ±40V
VGSM
ID25 TC= 25°C 94A
IDM TC= 25°C，脉冲宽度受 TJM 240A 限制
IA TC= 25°C 94A
EAS TC= 25°C 3.5J
PD TC= 25°C 1300W
dV/dtIS≤ IDM，VDD≤ VDSS，TJ≤ 150°C 30 V/ns
TJ -55 ... +150°C
TJM 150°C
Tstg -55 ... +150°C
TL 1.6 毫米（0.062 英寸）距外壳 10 秒 300°C
TSOLD 塑料机身 10s 260°C
Md 安装扭矩 (TO-264)1.13/10Nm/lb.in.
FC 安装力 (PLUS247) 20..120 /4.5..27 N/lb。
重量 TO-264 10g
        PLUS247 6g

符号 测试条件 特征值
（TJ = 25°C 除非另有说明） 类型。 MAX.
BVDSS VGS= 0V，ID = 1mA 500V
VGS(th)VDS= VGS, ID = 8mA 3.0 5.0V
IGSS VGS=±30V，VDS=0V±200nA
IDSS VDS= VDSS, VGS= 0V 10μA
  TJ = 125°C 2 mA
RDS(on)VGS= 10V，ID = 0.5 • ID25，注 1 55 mΩ

IXFK94N50P2
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 94 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 228 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 kW
通道模式: Enhancement
封装: TO-264
配置: Single
系列: IXFK94N50
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PolarP2 HiPerFET
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
包装数量: 25
类别: MOSFETs