深圳市誉辉天成电子有限公司
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LED器件(1)
LED芯片及外延(5)
其它电子原辅材料(1)
滤波器(4)
NCE2303沟槽型功率MOSFET一般特征：
VDS=-30V,ID=-2.0A
RDS(ON)<130mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<180mΩ@vg=-4.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
NCE2303沟槽型功率MOSFET应用程序：
PWM程序
负荷开关
电源管理
NCE2303沟槽型功率MOSFET封装：
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：-2.0A
漏极电流脉冲(注1)：-10A
最大功耗：1.0W
操作结和存储温度范围：-55至150℃
誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。
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